[리딩 테크놀로지 2003](8)ArF 포토레지스트
페이지 정보
작성일 23-03-20 00:51
본문
Download : 03011.gif
Download : 03011.gif( 67 )
반도체업계의 영원히 변하지 않는 화두는 미세화와 집적화다. 속도는 빠르게, 저장 데이터량은 많게, 그러나 비용은 저렴하게 칩을 만들어야 하는 것이 반도체업계의 끝없는 숙제이기 때문이다.
[리딩 테크놀로지 2003](8)ArF 포토레지스트
순서
기존 포토레지스트는 4메가(M) D램 제조에 쓰이던 436나노미터(㎚)의 파장을 갖는 G라인(G-line) 광원용 포토레지스트, 16∼64M D램까지 사용된 365㎚ 파장의 I라인(I-line) 광원용 포토레지스트, 그리고 128M D램 양산용으로 248㎚ 불화크립톤(KrF) 광원용 포토레지스트 등이 있다
다.
포토레지스트는 빛에 의해 그 화학적 성질이 변하는 것으로 빛에 노출되면 특정 용매에 대한 용해도가 크게 바뀌면서 용매 속도에 대한 차이로 반도체 회로를 그리게 된다된다.
<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>
[리딩 테크놀로지 2003](8)ArF 포토레지스트
메모리왕국 한국에서도 동진쎄미켐이 세계적인 수준에 올라있으며 금호석유화학 등 일부 업체도 개발중이다. 미세화는 회로선폭이 점차 작아지는 것을 뜻하며, 집적화는 제한된 면적에 여러 회로를 층층이 형성하는 것을 말한다.
특히 KrF에서 파생된 ArF 포토레지스트는 장비교체 등 추가 투자부담 없이 집적화 및 미세화할 수 있고, 기가급 D램 제조에 필요한 0.1㎛ 이하 회로선폭을 구현할 수 있어 차세대 포토레지스트로 각광받고 있다
미세회로 형성을 위해서는 다양한 광학적, 물리적, 화학적, 기계적 기술들이 응용되는데 이 공정에서 가장 중요한 재료가 바로 감광제(photoresist:포토레지스트)다. 동진쎄미켐은 특히 G라인 포토레지스트 국내 최초 국산화에 이어 최근 ArF 포토레지스트도 국산화에 성공, 미국 텍사스인스트루먼츠(TI)로부터 품질승인을 받아 ArF 포토레지스트 시장에 도전장을 내밀어 주목받고 있다
[리딩 테크놀로지 2003](8)ArF 포토레지스트
설명
레포트 > 기타
이에 따라 현재 日本 의 스미토모화학·日本 합성고무·신에쓰와 미국의 시플리·클라리언트 등 세계적인 화학업체들은 ArF 포토레지스트 개발에 박차를 가하고 있다
전문가들은 “KrF 포토레지스트가 해상도 향상기술에 힘입어 예상을 깨고 100㎚ 선폭 공정에서도 사용됐듯 ArF 포토레지스트는 193㎚ 파장부터 30% 수준인 65㎚ 선폭의 공정까지 사용될 것으로 보인다”며 “향후 1G D램 뿐만 아니라 최대 16G D램까지 양산에 투입되는 막대한 장비 구입예산을 줄일 수 있어 ArF 포토레지스트 기술력이 반도체업계의 원가구조를 뒤바꿀 혁명적 alteration(변화) 를 불러올 수도 있을 것”이라고 입을 모으고 있다
[리딩 테크놀로지 2003](8)ArF 포토레지스트
이 중 KrF 포토레지스트는 0.1미크론(1㎛은 100만분의 1m)의 회로선폭을 구현할 수 있어 128M D램을 생산하는 데 결정적으로 기여했다.
