[전자전기] 논리회로 실험 - RAM VHDL을 이용한 실험 결과 보고서 / 메모리 설계
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작성일 23-04-04 11:13
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library ieee;
in_data in std_logic_vector(3 downto 0);
레포트 > 공학,기술계열
전자전기 RAM VHDL을 이용한 실험 결과 보고서 메모리 설계 ※ 실
6) Write Operation
4) WR active-low동작.
addr in std_logic_vector(3 downto 0);
signal memory mem_type =(`0001`,`0011`,`0101`,`0111`,`1001`,`1011`,`1101`,`1111`,`0000`,
RAM 블록도
port ( ce_n in std_logic;
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5) Read Operation
end RAM;
※ 실험내용
subtype wtype is std_logic_vector(3 downto 0); -- wtype이라는 subtype width 결정
entity RAM is
`0010`,`0100`,`0110`,`1000`,`101...
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3) RD active-low동작.
wr_n in std_logic;
rd_n in std_logic;
※ Source Code
);
※ RAM
architecture rtl of RAM is
메모리 설계 ※ 실험내용 § RAM(Random Access Memor...
CE=‘0’,RD=‘1’,WR=‘0’
§ RAM(Random Access Memory) 설계
메모리 설계 ※ 실험내용 § RAM(Random Access Memor...
2) CE active-low동작
use ieee.std_logic_unsigned.all;
out_data out std_logic_vector(3 downto 0)
순서
[전자전기] 논리회로 실험 - RAM VHDL을 이용한 실험 결과 보고서 / 메모리 설계
설명
type mem_type is array(0 to 15) of wtype; -- depth 범위 지정
1) RAM Size=주소 개수×데이터 비트 수
메모리 설계
CE=‘0’,RD=‘0’,WR=‘1’
use ieee.std_logic_1164.all;
다.
