엘피다, 대기전력이 기존제품의 1%에 불과한 저전력 D램 개발
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작성일 23-01-28 02:13
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따라서 게이트 크기를 줄일 수 있고, 이는 D램 전체의 미세 공정으로 이어진다. 또 데이터를 읽고쓰기 쓰는 속도는 30%가량 높였다.
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엘피다, 대기전력이 기존제품의 1%에 불과한 저전력 D램 개발
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다.
장동준기자 djjang@etnews.co.kr
엘피다, 대기전력이 기존제품의 1%에 불과한 저전력 D램 개발
일본 엘피다메모리가 대기전력이 기존제품의 100분의 1에 불과한 저전력 D램 신제품을 개발했다. 실리콘 절연막은 얇게 만들면 전기가 새기 쉽다는 한계를 갖지만 하프늄 절연막은 두께 effect(영향) 을 덜 받는다. 하이-K 메탈 게이트 기술을 양산 제품에 적용한 업체는 엘피다가 처음이며, 다른 D램 업체들은 학회 발표 수준에 머무른다고 닛케이산업신문은 보도했다. 인텔의 CPU나 삼성전자와 TSMC의 시스템반도체가 하이-K 메탈 게이트 기술을 쓴 대표적 반도체다. 올해 내에 시제품을 내놓고 내년에 양산할 방침이다.
대기 전력 소비를 줄인 비결은 ‘하이-K 메탈 게이트’라는 기술이다.
엘피다, 대기전력이 기존제품의 1%에 불과한 저전력 D램 개발
닛케이산업신문은 15일 엘피다의 D램 신제품 소식을 자세히 보도했다.
기존 D램은 게이트 소재로 실리콘을 쓰지만 엘피다의 신제품은 절연막 소재로 전기 저장 능력이 좋은 하프늄으로, 전극 소재로 전기가 잘 흐르는 타이타늄계 특수금속으로 대체했다.
반면 데이터를 저장하는 D램은 여러 종류의 회로가 필요하기 때문에 신기술 사용이 어렵다고 여겨졌다.
설명
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신기술은 반도체 혁신의 핵심인 미세 공정에도 도움을 준다. 스마트폰이나 노트북의 배터리 사용 시간 연장은 물론 전반적인 성능 향상 효과(效果)도 기대된다. 새로 만든 D램은 대기 소비 전력이 기존 제품에 비해 100분의 1 수준이다.
하이-K 메탈 게이트 기술은 D램 이외에 시스템반도체 분야에서는 이미 적용됐다. D램 회로의 전류 제어 스위치 역할인 ‘게이트’는 전기를 차단하거나 저장하는 ‘절연막’과 전압을 가해서 전기를 흐르게 만드는 ‘전극’으로 이뤄진다. 엘피다는 이 기술을 우선 40나노 공정에 사용하고, 양산 단계에서는 20나노까지 확대할 방침이다. 전원을 켜면 기존 D램보다 1.7배 많은 전기를 발생해 빠른 속도로 대용량 데이터를 읽거나 기록한다. 그 결과 전원을 끄면 전기 누수를 최소화해 대기 전력을 크게 줄인다.
연산 기능을 담당하는 CPU나 시스템 반도체는 스위치만으로 회로 구성이 가능해 신기술 도입이 수월하다.
