Photolithography를 이용한 pattern형성
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작성일 23-03-13 10:39
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Download : Photolithography를 이용.hwp
(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 ->DI water ->gas로 drying)
X-ray
단층, 다층
1성분, 2성분, 3성분
1.實驗タイトル : Photolithography를 이용한 pattern형성
③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조
Photolithography를 이용한 pattern형성,Photolithography,pattern
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
다. 용해억제형 포토레지스트(Dissolution Inhibition Resist)는 감광작용을 하는 PAC(Photo Active Compound) 및 physical image를 형성하는 polymer 2성분계로 구성되며 점도조절을 위한 solvent, 색소(dye)가 추가로 첨가된다. 대부분 g-line, i-line resist의 경우가 이에 해당한다. 3.실험기구, 장비, 재료 : -Cr 증착된 기판 -Developer, Stripper, Cr etchant
극성alteration(변화) 형, 해중합형, 가교형, 중합형
2.實驗목적 : Photolithography에 사용하는 각 공definition 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다
Positive 레지스트는 노광지역의 resist가 현상공정에서 제거되고, 비노광지역의 resist가 최종적인 etching mask 역할을 하며, negative 레지스트는 그 반대이다.
적층수
Download : Photolithography를 이용.hwp( 41 )
Positive형, Negative형
-Developer, Stripper, Cr etchant
3.實驗기구, 장비, 재료 :
g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm),
ArF(193nm), EUV(13nm), E-beam, Ion Beam,
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
설명
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)
광원
레포트 > 자연과학계열
광원의 단파장화에 따른 광원의 개발과 더불어, 그에 상응하는 레지스트의 개발은 중요하다.
구성 성분수
용해도 alteration(변화)
순서
-PR의 종류에 따라 형성되는 모양을 생각해 보자
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다. ⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
Photolithography를 이용한 pattern형성
6.experiment(실험) 결과 및 고찰
-Cr 증착된 기판
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
反應 형태
1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성 2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다. 광원의 단파장화는 레지스트의 고감도화를 요구한다.
